SCMOS相機具有EMCCD相同的噪聲等級，使得EMCCD的低噪聲優勢幾近喪失。SCMOS相機的高性能決定了其可以替代EMCCD的在絕大部分應用領域。
EMCCD的缺陷有下述幾點：
EMCCD的放大機制有效地將讀出噪聲降至1e-以下，但同時也引入了另一個噪聲源——乘性噪聲。這將明顯地增加信號的散粒噪聲（RMS）,因數為1.41這將導致像元與像元之間以及幀幅與幀幅之間微光信號的變化性。
乘性噪聲的凈效應是獲取的圖像的信噪比降低，在一定程度上認為芯片的效率（QE）會從兩個方面減少。例如,一個效率增強型背光EMCCD原本的QE是90%，當考慮到乘性噪聲時，其QE減少到了45%。
EMCCD有限的動態范圍也是要考慮的因素。對于大像元（13to16μm）的EMCCD可以描繪出一個很好動態范圍，但僅是在讀出速度較低的情況下。要獲得更高的動態范圍，必須要設定更低的讀出速度（或減小像素）以及合適的EM增益。而使用高EM增益將耗盡動態范圍。此外，為使得百萬像素的EMCCD可以達到一定的幀速，就要進行多端口輸出，這又增加了不菲的額外費用。
zui后，EMCCD的功率消耗很高，且需要深度熱電制冷，無法滿足有些微光成像實驗的應用要求。

SCMOS相機相對EMCCD的優勢有：
1）高分辨率5.5百萬像素
2）真正的高動態范圍，16bit
3）芯片不需要隨時間進行線性校準
4）無需深度制冷來減少增益噪聲
5）增加增益值時不會降低動態范圍
無EMCCD普遍存在的芯片老化問題